Module IGBT 2MBI200SB-120 transistor puissance 1200V 200A

Transistor de puissance IGBT 2MBI200SB-120-50 pour commutation rapide

Optimisez l'efficacité de vos circuits de forte puissance avec le module de puissance semi-conducteur discret de référence internationale. Ce bloc intègre deux transistors IGBT montés en demi-pont, capables de supporter des tensions inverses élevées allant jusqu'à 1200 volts. C'est la solution technique idéale pour les concepteurs de serveurs industriels et de chargeurs de batteries haute capacité qui exigent une commutation propre à haute fréquence.

Compatibilité totale pour la maintenance de vos variateurs

La référence 2MBI200SB-120 remplace avantageusement vos anciens modules défectueux sur les lignes d'extrusion ou les presses hydrauliques. Sa compatibilité ascendante élimine les risques d'incompatibilité de brochage. Vous relancez la production immédiatement, évitant ainsi les coûts prohibitifs liés aux arrêts de ligne prolongés.

Fiche technique indicative du produit :

1. Technologie d'arrêt de champ (Field Stop) pour minimiser le courant de traînée.
2. Courant de crête répétitif élevé pour supporter les appels de charge des moteurs.
3. Borniers à vis robustes garantissant un contact électrique parfait sous fortes vibrations.

Ce module de puissance est plébiscité par les ingénieurs électriciens pour sa tolérance aux surcharges et sa robustesse face aux courts-circuits temporaires.